HORIBA堀場集團向各行業領域提供高品質的分析與測試儀器，49家分公司遍布全球27個國家。
我們的業務涉及汽車測試、科學儀器、過程和環境儀器、體外診斷和半導體儀器等。我們已在全球市場展示出自己的優勢，尤其在汽車排放和煙道氣測量、空氣污染、水污染監控、不同行業的質控以及臨床診斷等領域。過去幾年來，我們取得了長足發展。讓我們感到高興和自豪的是，我們的分析和測量業務為全球的環保、**和健康事業做出貢獻，并為解決能源問題助一臂之力。我認為正是這種自豪感促使我們提供更具競爭力的產品。
擁有自豪感和勇于挑戰的精神，以充沛的體力和激情投入到工作中去，譜寫一個更加令人滿意的人生。我們將更加快樂過好每**的愿望融入企業哲學，這一精神自企業創建以來一直代代相傳。遍布全球的大約7,000名堀場人（這樣稱呼的原因是我們把堀場集團的所有員工都看成是一家人）是我們企業發展的源泉，他們能夠正確理解“新奇、有趣”這一企業哲學，并在日常工作和生活中很好地貫徹。
我們將一如既往地以自豪的態度和勇于迎接挑戰的精神為社會做出貢獻。
UVISEL PLUS橢圓偏振光譜儀
研究級經典型橢偏儀
光譜范圍從FUV到NIR：190-2100nm
UVISEL Plus橢圓偏振光譜儀為先進薄膜、表面和界面表征提供了模塊化和性能的優化組合。
UVISEL Plus作為一款高準確性、高靈敏度、高穩定性的經典橢偏機型，它采用了PEM 相位調制技術，與機械旋轉部件技術相比， 能提供更好的穩定性和信噪比。光譜范圍從190nm到2100nm。
UVISEL Plus集成了全新的FastAcqTM快速采集技術，可在3分鐘以內實現高分辨的樣品測試（190-2100 nm），校準僅需幾分鐘。基于全新的電子設備，數據處理和高速單色儀，FastAcq技術能夠為用戶提供高分辨及快速的數據采集。FastAcq專門為薄膜表征設計，雙調制技術可以確保您獲得優異的測試結果。
相位調制技術的獨有特點為高頻調制 50 kHz，信號采集過程無移動部件：
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測試全范圍的橢偏角，Ψ (0-90)，Δ (0-360)
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從FUV到NIR具有優良的信噪比
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數據采集速度快，高達50毫秒/點，是動力學研究和在線測量的理想選擇
相比于采用 旋轉元件調制的傳統橢圓偏振光譜儀，UVISEL Plus的相位調制模式在表征薄膜方面具有更高的靈敏度和精度。它不僅可以探測到其他橢偏儀無法觀測到的極薄膜或界面，還可以表征50μm的厚膜。
在測試有背反射的透明樣品時，測試簡單、準確，無需刮花背面。
UVISEL Plus還設計有多種附件及可選功能，便于客戶根據應用需求及預算選擇合適的配置。比如，微光斑用于圖案樣品、自動變角器、自動樣品臺等。
UVISEL Plus采用模塊化設計，可靈活擴展。即可用于離線臺式測量，也可以耦合于鍍膜設備做在線監控。
UVISEL Plus可根據習慣選擇操作界面，一個是 DeltaPsi2 具有建模和擬合處理功能；另一個是 Auto-Soft 用戶導向的全自動樣品測試界面 ，工作流程直觀，易于非專業人士操作。
UVISEL Plus搭載FastAcq技術是材料研究和加工、平板顯示、微電子和光伏領域中優選通用光譜型橢偏儀。
UVISEL Plus是材料科學研究的理想工具。
產品優勢
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高精度和高靈敏度
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模塊化設計
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寬光譜范圍： 190-2100 nm
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集數據測量、建模和自動化操作為一體的軟件包
獲得的信息
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膜層厚度，從1?到50 μm
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表面和界面粗糙度
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光學常數 (n,k) ，適用于各向同/異性和漸變層
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光學特性如：吸收系數α, 光學帶隙Eg
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材料性能：合金成分、孔隙率、結晶度及形貌等
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穆勒矩陣
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退偏
UVISEL 規格
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光譜范圍：標配190-885nm，可擴展至近紅外2100nm
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檢測系統：高分辨率光譜儀配合高靈敏探測器
手動配置
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光斑尺寸：0.05 – 0.1 – 1 mm（針孔）
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樣品臺：直徑150mm，手動調節高度（20mm）和傾角
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卡位量角器：手動調節角度，從55°到90°，步徑5°
自動配置
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光斑尺寸：0.05 - 0.1 - 1 mm或0.08 - 0.12 - 0.25 - 1.2 mm（針孔）
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自動樣品平臺：200 x 200mm或300 x 300mm，手動調節高度（4mm）和傾角；XYZ樣品臺，theta平臺
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自動量角器：自動調節角度，從45°到90°，步徑0.01°
集成型量角器
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手動調節入射角度，從35°到90°，步徑5°
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樣品臺：直徑150mm，手動調節高度（20mm）
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自動準直系統（可選）
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尺寸: 25cm*21cm*35cm
在線配置
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機械適配器：CF35或KF40法蘭
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易于在在線和離線配置間更改
選配
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附件：冷熱臺、液體樣品池、電化學反應池、反射模塊（測試0°入射的反射率）等
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可視化：CCD攝像機
性能
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準確度：Ψ= 45°±0.01°和Δ=0°±0.01°，空氣對射1.5 - 5.3 eV
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重復性：NIST 1000? SiO2/Si (190-2100 nm)，d±0.1%，n(632.8nm)±0.0001